Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 73
    Intorno 66% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.1 left arrow 14.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 8.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 73
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 1712
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