Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 73
    Около 66% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 14.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 8.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 1712
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения