RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1712
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link