RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link