RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
36
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2570
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link