RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2570
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link