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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2816
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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