RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
25
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
20
Velocità di lettura, GB/s
16.1
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3359
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link