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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
26
Velocità di lettura, GB/s
16.1
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
4084
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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