RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
10.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
16.1
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2605
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link