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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2605
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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