RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
49
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3035
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link