RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3035
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link