Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 10.4

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 49

Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 33
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 16.9
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 3035

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM