RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
16.1
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3657
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link