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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
18.4
写入速度,GB/s
10.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3657
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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