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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
91
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
4.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
91
读取速度,GB/s
10.4
6.1
写入速度,GB/s
7.8
4.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1214
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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