RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3652
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link