RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3652
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link