RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
25
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
21
Velocità di lettura, GB/s
16.1
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
4293
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link