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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
21
读取速度,GB/s
16.1
21.4
写入速度,GB/s
10.1
19.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
4293
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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