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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2171
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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