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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
9.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
16.1
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
1853
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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