RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
6.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
6.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1853
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link