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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
25
Intorno -14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
22
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2550
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston HX424C15FB/16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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