RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
49
Velocità di lettura, GB/s
16.1
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2302
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link