Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 45
    Intorno -61% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.2 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.0 left arrow 11.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1939 left arrow 1793
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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