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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
AMD R538G1601S2LS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601S2LS 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
1793
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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