Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    12 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 45
    左右 -61% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    45 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    12.0 left arrow 11.3
  • 写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 8.2
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 1793
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最新比较