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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
46
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
46
Velocità di lettura, GB/s
16.1
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2368
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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