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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
25
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
19
Velocità di lettura, GB/s
16.1
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3370
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
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