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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
41
Velocità di lettura, GB/s
16.1
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2621
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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