RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2621
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link