RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Confronto
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1370
2847
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link