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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
比较
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
总分
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
差异
规格
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差异
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
6.8
16.5
写入速度,GB/s
5.4
11.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1370
2847
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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