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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Confronto
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
32
46
Velocità di lettura, GB/s
9.8
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2271
2311
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Team Group Inc. 16GB
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