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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB

总分
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

总分
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Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB 需要考虑的原因
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 46
    左右 30% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
Kllisre DDR4-8GB 8GB 需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    32 left arrow 46
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 11.4
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2271 left arrow 2311

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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