RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
43
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
39
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2878
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link