RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
43
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2878
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link