RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
11.4
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
2062
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link