RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
2062
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link