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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,892.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,181.5
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,892.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
851
2062
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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