RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
43
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
25
Velocità di lettura, GB/s
14.9
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3803
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link