RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
51
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
51
Velocità di lettura, GB/s
14.9
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2286
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link