Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 51
    Intorno 16% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 10.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 51
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 10.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 2286
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti