RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2443
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link