RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2443
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link