Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 54
    Intorno 20% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 10.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 12800
    Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 54
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 10.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2506 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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