RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
43
Intorno -65% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
26
Velocità di lettura, GB/s
14.9
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2257
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link