Confronto tra le RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Punteggio complessivo

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

18 43

Intorno -139% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.4 14.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

17.2 9.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2506 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns