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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
83
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
83
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
1774
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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