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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
83
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
83
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1774
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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