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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
59
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
37
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3518
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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